Услужна линија
+ КСНУМКС КСНУМКС-КСНУМКС
Silicon carbide SiC is a compound semiconductor material composed of silicon Si and carbon C, usually in 4H-SiC crystal type. Its insulation breakdown field strength is 10 times that of Si, energy gap is 3 times that of Si, thermal conductivity is 3 times that of Si, and saturation drift speed is 2 times that of Si. It is a very superior power electronic device material than Si.
Ако имате питања у вези са подршком, молимо вас да нас обавестите. За подршку у вези са дизајном, молимо вас да нас обавестите и попунитеОбразац за техничку подршкуJavićemo vam se u najkraćem mogućem roku.
Посетите нашФорум заједницеorКонтактирајте нас.
